1. Биологическая обратная связь или управление электроникой с помощью мысли. Число компаний и институтов занятых на этом поприще растет как снежный ком. Возможность управлять электроникой посредством одной лишь мысли ожидают множество категорий пользователей – военные, инвалиды и простые пользователи, особенно в игровой сфере. Звучит как научная фантастика, но в продаже уже появляются практические устройства для управления компьютером. |
2. «Печатная» электроника. Возможность быстро печатать сложные схемы из проводящих, изолирующих и полупроводниковых слоев рассматривается как альтернатива существующим техпроцессам создания электроники. Разумеется, что по плотности размещения компонентов эта технология существенно проигрывает современной литографии, но скорость разработки, простота и дешевизна создания схем делает технологию перспективной во многих решениях. К примеру создание гибких схем, RFID, OLED-панелей и других, где плотность элементов не критична. |
3. «Пластиковая» или полимерная память. Технология создания памяти на основе полимера – политиофена (polythiophenes), который демонстрирует ферромагнитные свойства. Такая память уступает по производительности кремниевой, но ее можно, что называется буквально печатать на гибкую основу. |
4. Безмасочная литография. Многие считают перспективным направлением развитие иммерсионной и EUV-литографии, однако EE Times делает ставку на темную лошадку в этой гонке техпроцессов – безмасочную многолучевую литографию, как более дешевую альтернативу. |
5. Параллельные процессы. Технология существует сейчас в форме двух и четырехъядерных процессоров, а также в многопроцессорных системах. Однако, по мнению EE Times, в будущем году будет уделено большее внимание использованию вычислительной мощности графических процессоров. Во всяком случае наработки OpenCL и Cuda обещают прорыв в этой сфере. |
8. Резистивная память или мемристоры. Насущная потребность в универсальной памяти, способной хранить данные в течении многих лет, допускать неограниченное число циклов перезаписи и не уступать в скорости DRAM, порождает множество самых разных исследований. На взгляд экспертов наибольшие перспективы в ближайшем будущем у памяти на токопроводящих металлических оксидах (conductive metal oxide, CMOx) и мемристорах. |
9. Сквозные кремниевые межсоединения (through silicon via, TSV). Технология позволит значительно уплотнить чипы и существенно снизить энергопотребление. Многие компании уже активно используют этот принцип в производства. Как ожидает EE Times, «прорыв» ожидается в новых сенсорах камер. |
Комментариев нет:
Отправить комментарий